Page 121 - Rektörlük

TÜBITAK 1005 ULUSAL YENI FIKIRLER VE ÜRÜNLER

ARAŞTIRMA DESTEK PROGRAMI KAPSAMINDA

DEVAM EDEN PROJELERIMIZ

Proje kapsamında, fikir aşamasında patent başvurusu
yapılmış olan Bor katmanlı Alan etkili transistörlerin
(B-NürFET) üretilmesi planlanmaktadır. Üretim
sürecinde Bor tabakasının SiO2/Si B-NürFET
yapısına sahip olan aygıtların üzerindeki etkileri,
Termal tavlamanın B-NürFET aygıtlarının elektriksel
karakteristiği üzerine etkileri; Termal tavlamanın
üretilen SiO2 ince filmi ve Bor katmanı üzerine
yapısal etkileri ve Kapı oksit üzerine büyütülecek Bor
tabakasının kalınlığının nötron algılama duyarlılığına
etkisi gibi sorulara cevap aranacaktır. 18 ay sürecek
araştırma geliştirme süresince 3 araştırmacı yer
alacak ve 3 bursiyer istihdam edilecektir. TÜBİTAK bu
projemize 284200 TL destekte bulunmuştur.

Proje Adı Bor Katmanlı Alan Etkili Transistör
Formunda Termal Nötron
Algılayıcı Üretimi ve Geliştirilmesi
(B-NürFET)
Proje Yürütücüsü
Prof. Dr. Ercan Yılmaz
Proje Süresi (Ay) 18
Proje Başlangıç Başlangıç Tarihi
15/01/2021
Proje Bitiş Tarihi
15/07/2022
Proje Bütçesi (TL)
284200

BOLU ABANT İZZET BAYSAL ÜNİVERSİTESİ 121